压阻式加速度传感器
单晶硅材料受到力的作用后，其电阻率（或电阻）就会发生变化，这种现象称为压阻效应。压阻式加速度传感器是利用固体的压阻效应制成的一种测量装置。
压阻式加速度传感器利用单晶硅作为悬臂梁，在其根部扩散出四个电阻，当悬臂梁自由端的质量块受有加速度作用时，悬臂梁受到弯矩作用，产生应力，使四个电阻阻值发生变化。
产品描述
特点：
利用单晶硅作为悬臂梁, 在其根部扩散出四个电阻，当悬臂梁自由端的质量块受有加速度作用时，悬臂梁受到弯矩作用，产生应力，使四个电阻阻值发生变化。最小重量为6g，最大量程范围6000g。
应用：
恶劣环境、事故、碰撞测试、振动/ 冲击测试、航天航空、形态分析、机械设备、仪器运动控制
主要技术指标：
| 型号 | 灵敏度 | 量程 | 频率 | 尺寸 | 重量 | 供电 |
| 1B105 | 0.1mV/m·s-2@5Vdc | 500m·s-2 | 0 ～ 1000Hz(±5%) | 12×10×6.5mm | 6g | （2 ～ 10）Vdc |
| 1B106 | 0.05mV/m·s-2@5Vdc | 1000m·s2 | 0 ～ 1200Hz(±5%) | 12×10×6.5mm | 6g | （2 ～ 10）Vdc |
| 1B107 | 0.04mV/m·s-2@5Vdc | 2000m·s-2 | 0 ～ 1400Hz(±5%) | 12×10×6.5mm | 6g | （2 ～ 10）Vdc |
| 1B108 | 0.02mV/m·s-2@5Vdc | 5000m·s-2 | 0 ～ 2000Hz(±5%) | 12×10×6.5mm | 6g | （2 ～ 10）Vdc |
| 1B109 | 0.008mV/m·s-2@5Vdc | 20000m·s-2 | 0 ～ 4500Hz(±5%) | 12×10×6.5mm | 6g | （2 ～ 10）Vdc |
| 1B110 | 0.005mV/m·s-2@5Vdc | 60000m·s-2 | 0 ～ 5000Hz(±5%) | 12×10×6.5mm | 6g | （2 ～ 10）Vdc |
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